| 型号： | NTMS4P01R2 | RoHS： | 否 |
|---|---|---|---|
| 制造商： | ON Semiconductor | 描述： | MOSFET P-CH 12V 3.4A 8-SOIC |
详细参数 |
数值 |
|---|---|
| 产品分类 | 分离式半导体产品 >> FET - 单 |
| NTMS4P01R2 PDF |  |
| 产品变化通告 | Product Obsolescence 30/Dec/2003 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 系列 | - |
| FET 型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点 | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 3.4A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 45 毫欧 @ 4.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.15V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 35nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 1850pF @ 9.6V |
| 功率 - 最大 | 790mW |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商设备封装 | 8-SOICN |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | NTMS4P01R2OS |